ウェハバンピング
概要
GREATEK は、8インチ(200mm)ウェハに対応したウェハレベル・バンピングプロセスを提供しております。当社は、以下の各種バンピングおよび関連プロセスに対応し、組立方式や製品用途に応じた最適なソリューションを提供いたします。
RDL(Redistribution Layer):ワイヤボンディング実装向けSnAg はんだバンプおよび Cu ピラーバンプ:フリップチップ実装向けWLCSP(Wafer Level Chip Scale Package):チップスケールパッケージ向け。
RDL(Redistribution Layer)RDL(再配線層)は、同一機能を有する I/O パッド同士を接続、またはアセンブリ工程に適した位置へパッド再配置(リルーティング)を行うための配線層です。
SnAg Solder Bump(SnAg はんだバンプ)SnAg はんだバンプは、高バンプ密度、小バンプピッチおよび小型バンプサイズを特長とし、高集積実装に適したソリューションです。
Cu Pillar Bump(銅ピラーバンプ)Cu ピラーバンプは、微細ピッチにおける高バンプ密度を実現するとともに、配線長の短縮により優れた電気特性を提供します。また、高い信号品質および電気性能が求められるフリップチップ実装に適しています。
WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)WLCSP は、従来のパッケージ工程を介さず、ウェハレベルで完結する集積回路パッケージ技術です。これにより、パッケージサイズの大幅な縮小および優れた放熱特性を実現します。


